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砷化镓论文前沿信息_ai智能写作一键生成(2024年12月实时热点)

内容来源：AI全自动内容创作接口所属栏目：教程更新日期：2024-12-02

砷化镓论文

日本“顶级打工人”中村修二：发明蓝光LED获诺贝尔物理奖，公司靠专利赚得盆满钵满，却只发了1140元奖金给他。加入美国后表示，“在这里，只要努力干，所有人都有机会”。在LED照明普及的今天，很少有人知道，这项改变世界的发明背后，有着一个执着追光的日本科学家——中村修二。他用20年时间，在一家名不见经传的小公司里，突破重重技术难关，最终实现了被认为"不可能完成"的蓝光LED研发。 1973年，19岁的中村修二考入德岛大学电子工程系。在校期间，他师从多田修教授继续深造，积累了扎实的半导体制备基础知识。 1979年春天，他来到了一家名为日亚化工的小公司。这家位于德岛县的乡镇企业，当时主要生产荧光粉，年营业额仅有2000万日元。在日亚化工的前十年，中村修二主要研究磷化镓和砷化镓半导体晶体生长，积累了LED开发的基本流程与方法。1988年，他向公司董事长提出了一个大胆的想法：研制蓝光LED。这在当时几乎是一个疯狂的提议，因为全球顶尖实验室已经在这个领域失败了数十年。出人意料的是，公司董事长同意了他的计划，投入500万美元支持研发，还派他前往美国佛罗里达大学学习MOCVD技术。这成为了中村修二研究生涯的重要转折点。回国后，他开始了艰苦的研发历程。通过改进MOCVD工艺，设计双气流式金属化合物气相外延生长技术，他在普通蓝宝石基片上获得了高质量的氮化镓薄膜。1991年，实验室首次实现了暗淡的蓝光。次年，他成功研制出高效率的蓝光LED，并在1993年实现了量产。中村修二的创新不仅体现在工艺方面，在材料领域他同样有重大突破。他解决了困扰业界多年的氮化镓空穴导电调控问题，通过掺杂铟氮化镓实现了周期量子阱结构，使发光效率提升至300流明/瓦特，是普通日光灯的4倍。然而，成功带来的喜悦很快被现实浇灭。所有专利都以公司名义申请，而他本人仅获得了2万日元（折合人民币约1140元）的奖励。 1999年底，中村修二选择离开日亚化工。由于拒绝签署竞业禁止承诺，他没有获得任何离职补偿，随后转往加州大学圣芭芭拉分校任教授。 2004年，中村修二起诉日亚化工，要求200亿日元（折合人民币约11亿）的专利补偿。经过漫长的法律程序，最终通过调解获得了8.4亿日元（折合人民币约4800万元）的补偿。这场官司在日本引发了广泛讨论，也推动了日本企业对知识产权保护的重视。从1991年起，中村修二在日美学术期刊上发表了大量研究论文，详细记录了他的创新过程和技术突破。正是这些论文，成为他后来获得诺贝尔物理学奖的重要依据。回望中村修二的故事，让人不禁感慨：在科技创新的道路上，永远不要轻言放弃。即使是在资源有限的小公司，只要有执着的信念和过人的勇气，也能创造出改变世界的发明。这或许就是蓝光LED带给我们最珍贵的启示。

1957年，一个中国女人回国时，被美国海关没收了毕生积攒的6800美金，可上船后她却开心地大笑起来，美国海关丝毫没有意识到，这个行为日后会给美国带来多么重大的损失...... 此时正小心翼翼跟随着其他旅客排队上船的女人叫林兰英，她正祈祷着美国海关人员不要看到她，不幸的是，在过安检的时候，还是有工作人员认出了林兰英，带着几个同事朝林兰英这里走来。只见为首的美国兵大步走来，将林兰英女士挡在前面，用近乎威胁的语气对她说：“林女士，你确定要离开美国，回到你自己的国家吗？”面对工作人员的威胁，林兰英也毫不畏惧，回击道：“我母亲病了，我需要回家照顾母亲，我们中国人是很注重孝道的，和你们不一样。” 工作人员一听，也不好说什么了，只是说按照惯例，需要检查她的行李，只见工作人员在检查林兰英的行李时从里面抽出一张6800美金的支票，并扬言说要将这张支票没收，除非林兰英留下。林兰英一听，这正中她下怀，于是林兰英装作舍不得样子，大骂着美国海关，最后又装作很抉择的样子，声称这是她母亲的救命钱，美国人自己自私自利，就以为所有人都和他们一样贪财，所以在看到林兰英骂骂咧咧的上船时，他们真的相信了林兰英是有急事回国。当邮轮静静驶入中国的公海时，林兰英听着广播里的中国话，留下了热泪，她紧紧抱住自己怀里的包，将手伸进包里攥住两个小瓶子，她庆幸只用6800美金就保住了这两个小瓶子。美国人不知道，她就是我国“半导体材料之母”林兰英院士，她手中的两个小瓶子里装的正是研究半导体的关键材料锗单晶和硅单晶。 1940年，从协和大学毕业的林兰英选择了留在本校担任讲师，在学习的过程中，林兰英意识到中国需要发展，她看到了中国与美国的差距，发展就必须要学习，为了以后可以赶超美国，林兰英毅然辞去协和大学的职位，选择在1948年前往美国求学。在美国学习的日子里，林兰英深刻感受到了中美的科学差距，在宾夕法尼亚大学学习期间，林兰英秉持着一定要学成归国的信念，在1955年顺利拿到了固体物理学博士学位，之后发表的有关物理学的论文被米勒看中，推荐她进入研究半导体的公司进行实践。此时的中国急需人才，而身在美国的林兰英已经达到了月薪一万美金，中国却只能提供207元的补贴，可林兰英从来没有忘记自己的初心，她不止一次的向美国递交过回国申请，但是美国当局根本不愿意放这么一个人才回到中国。无论是高薪诱惑，还是设备诱惑，都不能阻止林兰英回国的脚步，林兰英甚至不惜用母亲重病作为借口，只希望能回到中国，在1957年，林兰英终于踏上中国的土地，看着空中飘扬的五星红旗，她放声痛哭。回到祖国的林兰英立马投入到了半导体材料研究中，她带回来的锗单晶和硅单晶彻底填补了我国在半导体研究上的空白，1961年，由林兰英院士主持研究的中国第一台开门式硅单晶炉横空问世，彻底打开了我国半导体行业的大门。之后又先后为我国研制了第一根硅，锑化铟，砷化镓，磷化镓等单晶，在我国电子事业和光电子学方面做出了巨大贡献，不仅如此，林兰英院士所研究的成果还被运用到航天事业，并取得重大成果，彻底改变了中国半导体技术受制于人的局面。爱是专一和永恒的，即使后来美国当局依旧没有放弃将她“挖走”，可林兰英院士对祖国的热爱远远超过了美国给的那些薪资待遇。参考资料： 1，追忆中国半导体材料科学奠基人:林兰英院士 2，传承留学报国志勇扛报效国家责寻迹先辈系列|11.林兰英：当之无愧的“中国半导体材料之母”南师外院 2024年09月30日 22:15 江苏

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