电子器件杂志权威发布_电子元器件查询网(2024年12月精准访谈)
【「USTCⷧ瑧 」|中国科大开发人工神经网络算法实现对低温电子器件与电路的高精度建模与验证】 日前,中国科大郭光灿院士团队固态量子计算研究组郭国平教授与微电子学院iGaN实验室孙海定教授合作,开发并优化了一套人工神经网络算法并应用于射频功率器件及其电路的设计与实验验证,并在超宽温域范围获得器件级和电路级的高精度建模。这项研究成果以“Accurate Modelingof GaNHEMTs and MMICs for Cryogenic Electronics Applications Utilizing Artificial Neural Network”为题,发表于功率电子学领域重要期刊《IEEE电力电子新兴和精选主题杂志》。 论文链接:网页链接 原文链接:网页链接 「中国科学技术大学超话」
现代信息科技期刊 创刊时间:1977年 出版地:陕西省西安市 砩代号:52-126 出版周期:半月刊 ISSN:1004-373X CN:61-1224/TN 网络首发增强出版 审稿周期:20-25个工作日 ᠥ迩毼较易 字数要求:6000字以内(含图表) 收稿方向:人工智能、计算机科学与应用、电子与信息器件、航空航天航海技术、能源技术、激光与红外技术、前沿交叉科学、通信与信息工程、信号分析与图像处理、网络与信息安全、测控与自动化技术、电子技术及应用、能源与环境科学、智能交通与导航等 ⠤单位:陕西省电子技术研究所有限公司 出版单位:陕西电子杂志社有限公司 收录平台:知网/维普/万方 电子信息核心期刊,中国科技核心期刊,审稿约15天 頥彥,快速录用
【「无需半导体材料的电子器件问世」】「半导体超话」 美国「麻省理工学院超话」团队在电子制造领域取得一项重要进展:他们利用全3D打印技术,制作出了不需要半导体材料的有源电子设备器件。这一突破性研究发表在新一期《虚拟与物理原型》杂志上,为将来的电子制造开辟了新途径。团队使用普通的3D打印机和成本低廉、可生物降解的材料,打印了这些无半导体器件。无需半导体材料的电子器件问世
芯闻资讯|麻省理工团队利用全3D打印制作出了无需半导体材料的电子器件 麻省理工学院团队在电子制造领域取得一项重要进展:他们利用全3D打印技术,制作出了不需要半导体材料的有源电子设备器件。这一突破性研究发表在新一期《虚拟与物理原型》杂志上,为将来的电子制造开辟了新途径。 团队使用普通的3D打印机和成本低廉、可生物降解的材料,打印了这些无半导体器件。虽然这些器件性能还不足以与传统半导体晶体管相比,但它们已能执行一些基本的控制任务,比如调节电动机的速度。这项新技术使用的能量较少,产生的废物也更少,不仅降低了生产成本,还减少了对环境的影响。 实验过程中,团队发现掺杂铜纳米颗粒的聚合物细丝具有一种特别的现象:当通过大电流时,材料会表现出显著的电阻增加;而一旦停止供电,其电阻又迅速恢复到初始状态。这种特性使该材料可被用作开关元件,类似于半导体中的晶体管。团队尝试了多种不同掺杂物(包括碳、碳纳米管以及石墨烯)的聚合物细丝,但只有含铜纳米颗粒的细丝展现出了自复位能力。 基于这种现象,团队认为,电流导致的热效应或使铜粒子扩散开来,增加了电阻;而在冷却后,铜粒子重新聚集,电阻随之降低。此外,聚合物基质从结晶态转变为非晶态再转回的过程,也可能对电阻的变化有所贡献。 利用这一原理,团队开发出一种新型逻辑门,它由铜掺杂聚合物制成的细丝构成,可以通过调整输入电压来控制电阻变化。 此外,向聚合物细丝中添加其他功能性微粒,还可实现更加复杂多样的应用。 这一成果展示了未来小型企业自主生产简单智能硬件的可能性。 逻辑门是数字逻辑电路基本单元,“或”“与”“非”“或非”“与非”,任何复杂的逻辑电路都可由这些逻辑门组成。晶体管可以实现对输出电流的开关控制,通过不同电路配置,实现多个逻辑门功能。 此次,科研团队成功利用全3D打印技术,制作出了不需要半导体材料的有源电子设备组件。虽然性能不足以媲美晶体管,但掺杂铜纳米颗粒的聚合物细丝已经具备基本的控制功能,且这种材料成本低、废物少,或能成为晶体管的“平替”。
厉害了!辽宁材料实验室取得重要研究成果 辽宁材料实验室研究人员近期在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管低温欧姆接触稳定可靠制备上取得了重要进展,研究成果以“Fractional quantum Hall phases in high-mobility n-type molybdenum disulfide transistors”为题于2024年10月30日在Nature Electronics杂志在线发表。本研究在辽宁材料实验室与山西大学主导下,由法国巴黎高等师范学院、北京大学、香港科技大学、纽约Flatiron研究所等国内外多个实验与理论团队合作完成。 研究人员将硫化钼少层晶体用氮化硼进行封装,其中顶部氮化硼薄层采用预图案化的二维微米尺寸窗口进行铋电极热蒸发接触。所得器件在较低载流子浓度即可具有全温区(毫开尔文至室温)欧姆接触和高迁移率(如图)。在毫开尔文温度、强磁场下观测到填充系数niu=1的量子极限和⅖、⅘填充的分数量子化横向电导平台。这是目前能够通过电输运(非拓扑平带体系)观测到分数量子霍尔效应的首个二维本征带隙n型半导体材料。该实验结果为基于二维半导体的低温高迁移率电子晶体管(HEMT)、低温放大器等纳米电子学器件提供了可能方案。 (辽宁日报 记者:孔爱群) #新时代六地辽宁杠杠滴# #振兴新突破辽宁杠杠滴# #有一种美好叫辽宁#
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麻省理工:研制出无需半导体的电子器件! 近日,发表在《虚拟与物理原型》杂志的一项新研究,美国麻省理工学院团队在电子制造领域取得一项重要进展:他们利用全3D打印技术,制作出了不需要半导体材料的电子设备器件。 研究人员利用标准的 3D 打印设备和一种廉价、可生物降解的材料,制造出了无需半导体的设备。 该设备能够执行类似于传统半导体晶体管的开关功能,而晶体管是主动电子设备中用于处理操作的核心元件。 研究人员表示,尽管这些 3D 打印设备的性能暂时还无法与半导体晶体管相比,但它们已经可以用于一些基本的控制操作,这代表了电子器件发展的新方向。 「热门微博」「科技快讯」「半导体」「电子材料」
电子信息类SCD期刊2024版精选推荐 大家好,今天为大家整理了一些电子信息类SCD期刊,适合评职称、综测加分、考研保研等。以下是部分期刊的详细信息: 《电子与信息学报》 CSCD核心月刊 知网收录 《电子学报》 CSCD核心月刊 知网收录 《信号处理》 CSCD核心月刊 知网收录 《电子技术应用》 科技核心 知网收录 5000字 《电子设计工程》 科技核心 半月刊 知网收录 《电子器件》 科技核心 双月刊 知网收录 6000字 《电子元件与材料》 北大核心月刊 知网收录 《无线电通信技术》 北大核心 双月刊 知网收录 《半导体技术》 北大核心 月刊 知网收录 《电讯技术》 北大核心 月刊 知网收录 6000字 《信息通信技术》 双月刊 知网收录 6000字 《电子科技》 月刊 知网收录 影响因子:1.284 《通信技术》 月刊 知网收录 5000字 《集成电路应用》 月刊 知网收录 5000字符/3版 《移动通信》 月刊 知网收录 5000字以内 《无线电工程》 月刊 知网收录 8000字 这些期刊不仅在学术上有很高的影响力,还可以帮助电子信息专业的同学们在各种场合加分。希望这份整理对大家有所帮助!
辽宁材料实验室研究人员近期在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管低温欧姆接触稳定可靠制备上取得了重要进展,研究成果以“Fractional quantum Hall phases in high-mobility n-type molybdenum disulfide transistors”为题于2024年10月30日在Nature Electronics杂志在线发表。本研究在辽宁材料实验室与山西大学主导下,由法国巴黎高等师范学院、北京大学、香港科技大学、纽约Flatiron研究所等国内外多个实验与理论团队合作完成。 研究人员将硫化钼少层晶体用氮化硼进行封装,其中顶部氮化硼薄层采用预图案化的二维微米尺寸窗口进行铋电极热蒸发接触。所得器件在较低载流子浓度即可具有全温区(毫开尔文至室温)欧姆接触和高迁移率(如图)。在毫开尔文温度、强磁场下观测到填充系数niu=1的量子极限和⅖、⅘填充的分数量子化横向电导平台。这是目前能够通过电输运(非拓扑平带体系)观测到分数量子霍尔效应的首个二维本征带隙n型半导体材料。该实验结果为基于二维半导体的低温高迁移率电子晶体管(HEMT)、低温放大器等纳米电子学器件提供了可能方案。 (辽宁日报 记者:孔爱群)#新时代六地辽宁杠杠滴# #振兴新突破辽宁杠杠滴# #有一种美好叫辽宁#
#振兴新突破辽宁杠杠滴# #新时代六地辽宁杠杠滴# #有一种美好叫辽宁# 【厉害了!辽宁材料实验室取得重要研究成果】来源:辽宁日报 辽宁材料实验室研究人员近期在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管低温欧姆接触稳定可靠制备上取得了重要进展,研究成果以“Fractional quantum Hall phases in high-mobility n-type molybdenum disulfide transistors”为题于2024年10月30日在Nature Electronics杂志在线发表。 本研究在辽宁材料实验室与山西大学主导下,由法国巴黎高等师范学院、北京大学、香港科技大学、纽约Flatiron研究所等国内外多个实验与理论团队合作完成。 研究人员将硫化钼少层晶体用氮化硼进行封装,其中顶部氮化硼薄层采用预图案化的二维微米尺寸窗口进行铋电极热蒸发接触。所得器件在较低载流子浓度即可具有全温区(毫开尔文至室温)欧姆接触和高迁移率(如图)。在毫开尔文温度、强磁场下观测到填充系数niu=1的量子极限和⅖、⅘填充的分数量子化横向电导平台。这是目前能够通过电输运(非拓扑平带体系)观测到分数量子霍尔效应的首个二维本征带隙n型半导体材料。该实验结果为基于二维半导体的低温高迁移率电子晶体管(HEMT)、低温放大器等纳米电子学器件提供了可能方案。 (辽宁日报 记者:孔爱群)
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